Работа флешки основана на инжекции и хранении электрического заряда в запоминающей среде. Еще одним важным условием для устройства являются наличие туннельного и блокирующего слоев. Они состоят из оксида кремния и высокопроницаемого диэлектрика. Быстродействие флешки зависит от количества затрачиваемой энергии на удаление электрона из вещества. При этом сама запоминающая среда отличается большой работой выхода для электронов. Запоминающую среду, которая зажата между двумя слоями, ученые сравнивают с глубокой ямой, куда скидывается заряд и долго хранится. 

В настоящее время о серийном производстве быстрой флешки речи не идет, ученым предстоят фундаментальные исследования в этой области. Кроме того, вопрос производства упирается в деньги: по словам физиков, строительство в России завода, который будет располагать техническими возможностями для производства устройства, может обойтись в 5 млрд долларов.